苏州华太申请一种中低压 SIC IGBT 器件专利，解决传统器件结构不适用于中低压的问题

金融界 2025 年 4 月 2 日消息，国家知识产权局信息显示，苏州华太电子技术股份有限公司申请一项名为“一种中低压 SIC IGBT 器件”的专利，公开号 CN 119743965 A，申请日期为 2024 年 11 月。

专利摘要显示， 本申请提供了一种中低压 SIC IGBT 器件，包括：衬底；第二掺杂类型的外延层，形成在所述衬底之上；第一掺杂类型的集电区，形成在所述外延层内；集电极金属，形成在所述衬底的背侧；集电区连接孔，连通所述集电区的下表面至所述集电极金属的上表面；集电区引出金属，填充在所述集电区连接孔内，所述集电区引出金属的上端与所述集电区的下表面连接， 所述集电区引出金属的下端与所述集电极金属的上表面连接 本申请解决了传统的 SIC IGBT 器件的结构无法适用于中低压 SIC IGBT 器件的技术问题。

天眼查资料显示，苏州华太电子技术股份有限公司，成立于2010年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本38473.6371万人民币，实缴资本1888.904万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州华太电子技术股份有限公司共对外投资了11家企业，参与招投标项目19次，财产线索方面有商标信息48条，专利信息463条，此外企业还拥有行政许可10个。

本文源自金融界